［Engadget US版より（原文へ）］ 東芝は過去最大となる1チップあたり1.33テラビット（166GB）を達成したフラッシュメモリのプロトタイプサンプル品の製造を開始しました。この96層積層プロセスのNAND型フラッシュメモリは、1チップあたり「たった」32GBしか達成していない現行の3ビットセルと比べ、1セルあたり4ビットの記録が可能です。 標準的な16チップを搭載したフラッシュストレージなら、2.66TBという驚くべき容量が実現可能で、より速く高密度なSSDやメモリーカードの製造が可能になります
福田昭のセミコン業界最前線 日立の半導体部門とフラッシュメモリが起こしたマイコン革命 - 福田 昭 2018年7月18日 06
このうち110ドル（約1万1,550円）はディスプレイ費用として韓国のSamsung Displayが、44.45ドル（約4,667円）はメモリ費用として日本の東芝や韓国のSK Hynixが占めています。
