［Engadget US版より（原文へ）］ 東芝は過去最大となる1チップあたり1.33テラビット（166GB）を達成したフラッシュメモリのプロトタイプサンプル品の製造を開始しました。この96層積層プロセスのNAND型フラッシュメモリは、1チップあたり「たった」32GBしか達成していない現行の3ビットセルと比べ、1セルあたり4ビットの記録が可能です。 標準的な16チップを搭載したフラッシュストレージなら、2.66TBという驚くべき容量が実現可能で、より速く高密度なSSDやメモリーカードの製造が可能になります
