Intelは8月8日（現地時間）、QLC 3D NANDを採用したM.2 NVMe SSD「660p」シリーズを発表した。転送速度や書き込み耐性がTLCに比べてやや下がる代わりに、512GBモデルで市場想定価格99ドルという低価格を実現した。日本での発売時期は未定。 512GBモデルのシーケンシャルリードは1500MB/s、シーケンシャルライトは1000MB/s。総書き込み容量（TBW）は100で、製品寿命（MTBF）は160万時間以下。 比較に、TLC採用のM.2 MVNe SSDである「760p」の5
［Engadget US版より（原文へ）］ 東芝は過去最大となる1チップあたり1.33テラビット（166GB）を達成したフラッシュメモリのプロトタイプサンプル品の製造を開始しました。この96層積層プロセスのNAND型フラッシュメモリは、1チップあたり「たった」32GBしか達成していない現行の3ビットセルと比べ、1セルあたり4ビットの記録が可能です。 標準的な16チップを搭載したフラッシュストレージなら、2.66TBという驚くべき容量が実現可能で、より速く高密度なSSDやメモリーカードの製造が可能になります
